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AMC監測的主要目標污染物有哪些?

更新時間:2025-01-06瀏覽:362次
  AMC監測的主要目標污染物包括酸類、堿類、可凝結物質和摻雜物質。這些污染物在半導體制造過程中可能對晶圓良率產生負面影響,因此需要對其進行嚴格監測和控制。
  
  1、酸類(MA):酸類物質,尤其是無機酸,對晶圓良率的負面影響是半導體從業者的一大痛點。酸會腐蝕晶圓表面的金屬線或表面,形成顆粒物沉積到晶圓表面,損壞光刻掩模,以及弱化HEPA濾膜性能。痕量酸類物質與晶圓良率的具體關系雖然至今還沒有系統性的研究,但業界普遍認為快速精確檢測pptV濃度有機/無機酸的檢測設備在半導體行業的廣泛使用是必要的。
  
  2、堿類(MB):氨氣、有機胺和酰胺等含氮分子在AMC中是相對特殊的存在。這些堿類分子會在空氣通過簡單的酸堿成核機理,產生鹽類為主的顆粒物,會有很大可能沉降到晶圓表面或者潔凈室內各種外表面。氨氣對銅等金屬表面具有很強的吸附性,對金屬參與的制程和儀器內外表面都會產生持續時間較長的污染。
  
  3、可凝結物質(MCs):該AMC種類主要有塑化劑、有機磷酸鹽、抗氧化劑、硅氧烷和其他VOCs。MC物種的可凝結特性意味著在酸堿成核反應之后,MC會凝結到細小顆粒物外表面,促進其生長,也就相應的增加了沉降幾率和對晶圓表面的危害程度。同時MC也會以分子態或者單分子層凝結到晶圓或者設備部件表面。
  
  4、摻雜物質(MD):如磷、硼等污染物,可改變半導體電性能。
  

AMC監測

 

  AMC監測的主要目標污染物涵蓋了酸類、堿類、可凝結物質和摻雜物質等多個類別。這些污染物在半導體制造過程中可能對晶圓良率產生嚴重影響,因此需要對其進行嚴格監測和控制。
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